BDX63B Todos los transistores

 

BDX63B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDX63B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 90 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 2000
   Paquete / Cubierta: TO3
 

 Búsqueda de reemplazo de BDX63B

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BDX63B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  inchange semiconductor
 bdx63 bdx63a bdx63b bdx63c.pdf pdf_icon

BDX63B

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDX63/A/B/CDESCRIPTIONCollector Current -I = 8ACHigh DC Current Gain-h = 1000(Min)@ I = 3AFE CComplement to Type BDX62/A/B/CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio output stages and general amplifierand switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATIN

 9.1. Size:130K  inchange semiconductor
 bdx63 a b c.pdf pdf_icon

BDX63B

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDX63/A/B/C DESCRIPTION Collector Current -IC= 8A High DC Current Gain-hFE= 1000(Min)@ IC= 3A Complement to Type BDX62/A/B/C APPLICATIONS Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VAL

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SC1012A | 2SC3116 | 3DG3142 | 2SA97

 

 
Back to Top

 


 
.