BDX63B - описание и поиск аналогов

 

BDX63B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BDX63B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2000

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BDX63B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDX63B даташит

 ..1. Size:213K  inchange semiconductor
 bdx63 bdx63a bdx63b bdx63c.pdf pdf_icon

BDX63B

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDX63/A/B/C DESCRIPTION Collector Current -I = 8A C High DC Current Gain-h = 1000(Min)@ I = 3A FE C Complement to Type BDX62/A/B/C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATIN

 9.1. Size:130K  inchange semiconductor
 bdx63 a b c.pdf pdf_icon

BDX63B

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDX63/A/B/C DESCRIPTION Collector Current -IC= 8A High DC Current Gain-hFE= 1000(Min)@ IC= 3A Complement to Type BDX62/A/B/C APPLICATIONS Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VAL

Другие транзисторы: BDX61-7, BDX62, BDX62A, BDX62B, BDX62C, BDX62L, BDX63, BDX63A, 13009, BDX63C, BDX63L, BDX64, BDX64A, BDX64B, BDX64C, BDX64L, BDX65

 

 

 

 

↑ Back to Top
.