BDX63C Todos los transistores

 

BDX63C . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDX63C
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 90 W
   Tensión colector-base (Vcb): 140 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 2000
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BDX63C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  inchange semiconductor
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BDX63C

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDX63/A/B/CDESCRIPTIONCollector Current -I = 8ACHigh DC Current Gain-h = 1000(Min)@ I = 3AFE CComplement to Type BDX62/A/B/CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio output stages and general amplifierand switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATIN

 9.1. Size:130K  inchange semiconductor
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BDX63C

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDX63/A/B/C DESCRIPTION Collector Current -IC= 8A High DC Current Gain-hFE= 1000(Min)@ IC= 3A Complement to Type BDX62/A/B/C APPLICATIONS Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VAL

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History: 2SC6017-TL-E | MBT35200MT1 | 2SC6017-E

 

 
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