BDX75 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDX75
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 75 W
Tensión colector-base (Vcb): 45 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 16 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 0.8 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: TO220
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BDX75 Datasheet (PDF)
bdx75.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor BDX75DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 40V (Min)(BR)CEOHigh Current Capability100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general-purpose amplifier andswitching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL P
Otros transistores... BDX69A , BDX69B , BDX69C , BDX70 , BDX71 , BDX72 , BDX73 , BDX74 , 2SD313 , BDX77 , BDX77F , BDX78 , BDX78F , BDX83 , BDX83A , BDX83B , BDX83C .
History: 2SB953
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Liste
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