BDX75 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDX75
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 75 W
Tensión colector-base (Vcb): 45 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 16 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 0.8 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 15
Encapsulados: TO220
Búsqueda de reemplazo de BDX75
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
BDX75 datasheet
bdx75.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BDX75 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 40V (Min) (BR)CEO High Current Capability 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general-purpose amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL P
Otros transistores... BDX69A , BDX69B , BDX69C , BDX70 , BDX71 , BDX72 , BDX73 , BDX74 , A1013 , BDX77 , BDX77F , BDX78 , BDX78F , BDX83 , BDX83A , BDX83B , BDX83C .
History: BDX77
History: BDX77
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa818 | 2sa763 | a933 | 2sa818 replacement | irfb3607 datasheet | 2n2907 equivalent | c2026 | mpsa56 transistor equivalent
