BDX83B Todos los transistores

 

BDX83B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDX83B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 125 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 20 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 750
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BDX83B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:212K  inchange semiconductor
 bdx83 bdx83a bdx83b bdx83c.pdf pdf_icon

BDX83B

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDX83/A/B/CDESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 1000(Min)@ I = 5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 45V(Min)- BDX83; 60V(Min)- BDX83ACEO(SUS)80V(Min)- BDX83B; 100V(Min)- BDX83CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower switchingHammer driversSe

 9.1. Size:214K  inchange semiconductor
 bdx83 a b c.pdf pdf_icon

BDX83B

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDX83/A/B/C DESCRIPTION High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ IC= 5A Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 45V(Min)- BDX83; 60V(Min)- BDX83A 80V(Min)- BDX83B; 100V(Min)- BDX83C APPLICATIONS Power switching Hammer drivers Series and shunt regulators A

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