BDX85B Todos los transistores

 

BDX85B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDX85B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 750
   Paquete / Cubierta: TO3
     - Selección de transistores por parámetros

 

BDX85B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  inchange semiconductor
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BDX85B

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDX85/A/B/CDESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 750(Min)@ I = 3AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 45V(Min)- BDX85; 60V(Min)- BDX85ACEO(SUS)80V(Min)- BDX85B; 100V(Min)- BDX85CComplement to Type BDX86/A/B/CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesign

 9.1. Size:269K  inchange semiconductor
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BDX85B

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDX85/A/B/C DESCRIPTION High DC Current Gain- : hFE= 750(Min)@ IC= 3A Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 45V(Min)- BDX85; 60V(Min)- BDX85A 80V(Min)- BDX85B; 100V(Min)- BDX85C Complement to Type BDX86/A/B/C APPLICATIONS Designed for use in power linear and s

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BD682A | 3DG12 | BF261 | KT201DM | NJVMJD45H11T4G | CMBT847F

 

 
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