BDX85B Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDX85B
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 4 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 750
Encapsulados: TO3
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BDX85B datasheet
bdx85 bdx85a bdx85b bdx85c.pdf
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDX85/A/B/C DESCRIPTION High DC Current Gain- h = 750(Min)@ I = 3A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 45V(Min)- BDX85; 60V(Min)- BDX85A CEO(SUS) 80V(Min)- BDX85B; 100V(Min)- BDX85C Complement to Type BDX86/A/B/C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Design
bdx85 a b c.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDX85/A/B/C DESCRIPTION High DC Current Gain- hFE= 750(Min)@ IC= 3A Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS) = 45V(Min)- BDX85; 60V(Min)- BDX85A 80V(Min)- BDX85B; 100V(Min)- BDX85C Complement to Type BDX86/A/B/C APPLICATIONS Designed for use in power linear and s
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