BDX86C Todos los transistores

 

BDX86C . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDX86C
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 750
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BDX86C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  inchange semiconductor
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BDX86C

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDX86/A/B/CDESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 750(Min)@ I = -3AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -45V(Min)- BDX86; -60V(Min)- BDX86ACEO(SUS)-80V(Min)- BDX86B; -100V(Min)- BDX86CComplement to Type BDX85/A/B/CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSD

 9.1. Size:269K  inchange semiconductor
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BDX86C

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDX86/A/B/C DESCRIPTION High DC Current Gain- : hFE= 750(Min)@ IC= -3A Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -45V(Min)- BDX86; -60V(Min)- BDX86A -80V(Min)- BDX86B; -100V(Min)- BDX86C Complement to Type BDX85/A/B/C APPLICATIONS Designed for use in power linear

Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 850AT | BD948

 

 
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