BDX95 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDX95
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 90 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: TO3
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BDX95 Datasheet (PDF)
bdx91 bdx93 bdx95.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor BDX91/93/95DESCRIPTIONCollector Current -I = 10ACCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V(Min)- BDX91(BR)CEO80V(Min)- BDX93100V(Min)- BDX95Complement to Type BDX92/94/96Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose power amplifier andswit
Otros transistores... BDX88 , BDX88A , BDX88B , BDX88C , BDX91 , BDX92 , BDX93 , BDX94 , 2SD882 , BDX96 , BDY10 , BDY11 , BDY12 , BDY12-10 , BDY12-16 , BDY12-6 , BDY12B .
History: CJD340 | 2SB365 | BDX91 | 2SC2562 | TN4889 | TN2369 | DTA205
History: CJD340 | 2SB365 | BDX91 | 2SC2562 | TN4889 | TN2369 | DTA205



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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