BDY13-6 Todos los transistores

 

BDY13-6 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDY13-6
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 26 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO3
 

 Búsqueda de reemplazo de BDY13-6

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BDY13-6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:207K  inchange semiconductor
bdy13-6.pdf pdf_icon

BDY13-6

isc Silicon NPN Power Transistor BDY13-6DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V(Min.)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 1V(Max)@ I = 3ACE(sat CHigh Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for LF signal powe amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATI

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SC5098 | 2SB260 | KSR2107

 

 
Back to Top

 


 
.