BDY20 Todos los transistores

 

BDY20 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDY20
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 115 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.5 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BDY20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:12K  semelab
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BDY20

BDY20Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99)6.35 (0.25) 26.67 (1.05)9.15 (0.36)Metal Package. 10.67 (0.42)11.18 (0.44) 1.52 (0.06)3.43 (0.135)1 2 Bipolar NPN Device. 3VCEO = 60V (case)3.84 (0.151)4.09 (0.161)7.92 (0.312) IC = 15A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in ac

 ..2. Size:208K  inchange semiconductor
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BDY20

isc Silicon NPN Power Transistor BDY20DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaDC Current Gain-h =20-70@I = 4AFE CCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 1.1V(Max)@ I = 4ACE(sat CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general-purpose switching and amplifierapplicationsABSOLUTE MAXIMUM RAT

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History: 2SD460 | CD066 | BUF672 | 2SC2036 | NB221FH | OC74 | SF115B

 

 
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