BDY20 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDY20
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 115 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 0.5 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 20
Encapsulados: TO3
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BDY20 datasheet
bdy20.pdf
BDY20 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) Metal Package. 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 1 2 Bipolar NPN Device. 3 VCEO = 60V (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) IC = 15A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in ac
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isc Silicon NPN Power Transistor BDY20 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area DC Current Gain -h =20-70@I = 4A FE C Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.1V(Max)@ I = 4A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general-purpose switching and amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RAT
Otros transistores... BDY15B , BDY15C , BDY16 , BDY16A , BDY16B , BDY17 , BDY18 , BDY19 , D882 , BDY21 , BDY21-10 , BDY21-16 , BDY21-6 , BDY22 , BDY22-10 , BDY22-6 , BDY23 .
History: 2SD1807 | BDX86A
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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