BDY38 Todos los transistores

 

BDY38 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDY38
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 115 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.5 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BDY38 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:202K  inchange semiconductor
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BDY38

isc Silicon NPN Power Transistor BDY38DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 40V (Min)(BR)CEOWide area of safe operation100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general-purpose power amplifier and switchingapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBO

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History: KSR2011F | HN4A08J | 2SA1037K | NPS2369 | 2SC62 | 2SD1702 | GT309V

 

 
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