BDY53 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDY53
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BDY53
BDY53 Datasheet (PDF)
bdy53 bdy54.pdf
.BDY53 BDY54NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESALF Large Signal Power AmplificationHigh Current Fast SwitchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Ratings Value UnitBDY53 60VCEO Collector-Emitter Voltage VBDY54 120BDY53 100VCBO Collector-Base Voltage VBDY54 180BDY53VEBO Emitter-Base Voltage 7VBDY54BDY53IC Collector Current 12 ABDY54BDY53IB Base Current 5
bdy53.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BDY53DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V =60V(Min.)CEO(SUS)Collector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 1.1 V(Max)@ I = 4ACE(sat CHigh Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general-purpose switching and amplifierapplicationsABSO
bdy53-bdy54.pdf
.BDY53 BDY54NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESALF Large Signal Power AmplificationHigh Current Fast SwitchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Ratings Value UnitBDY53 60Collector-Emitter VoltageVCEO VBDY54 120BDY53 100VCBO Collector-Base Voltage VBDY54 180BDY53VEBO Emitter-Base Voltage 7VBDY54BDY53IC Collector Current 12 ABDY54BDY53IB Base Current 5
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