BDY60 Todos los transistores

 

BDY60 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDY60
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 45
   Paquete / Cubierta: TO3

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BDY60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  inchange semiconductor
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BDY60

isc Silicon NPN Power Transistor BDY60 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V (Min) (BR)CEO Low Collector-Emitter Saturation Voltage Excellent Safe Operating Area Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETE

 0.1. Size:11K  semelab
 bdy60-02.pdf pdf_icon

BDY60

BDY60/02 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) Metal Package. 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 1 2 Bipolar NPN Device. 3 VCEO = 80V (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) IC = 5A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in

Otros transistores... BDY53 , BDY54 , BDY55 , BDY56 , BDY57 , BDY57A , BDY58 , BDY58R , 2SC2383 , BDY60A , BDY60B , BDY61 , BDY62 , BDY63 , BDY64 , BDY65 , BDY66 .

History: CHDTC124TKGP

 

 
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