BDY60A Todos los transistores

 

BDY60A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BDY60A

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 30 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 45

Encapsulados: TO3

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BDY60A datasheet

 9.1. Size:11K  semelab
bdy60-02.pdf pdf_icon

BDY60A

BDY60/02 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) Metal Package. 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 1 2 Bipolar NPN Device. 3 VCEO = 80V (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) IC = 5A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in

 9.2. Size:201K  inchange semiconductor
bdy60.pdf pdf_icon

BDY60A

isc Silicon NPN Power Transistor BDY60 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V (Min) (BR)CEO Low Collector-Emitter Saturation Voltage Excellent Safe Operating Area Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETE

Otros transistores... BDY54 , BDY55 , BDY56 , BDY57 , BDY57A , BDY58 , BDY58R , BDY60 , BC547B , BDY60B , BDY61 , BDY62 , BDY63 , BDY64 , BDY65 , BDY66 , BDY67 .

History: BC876 | BDY90A | 2SD1803S | 2SC5343T

 

 

 


History: BC876 | BDY90A | 2SD1803S | 2SC5343T

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