BDY60B Todos los transistores

 

BDY60B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDY60B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BDY60B Datasheet (PDF)

 9.1. Size:11K  semelab
 bdy60-02.pdf pdf_icon

BDY60B

BDY60/02Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99)6.35 (0.25) 26.67 (1.05)9.15 (0.36)Metal Package. 10.67 (0.42)11.18 (0.44) 1.52 (0.06)3.43 (0.135)1 2 Bipolar NPN Device. 3VCEO = 80V (case)3.84 (0.151)4.09 (0.161)7.92 (0.312) IC = 5A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in

 9.2. Size:201K  inchange semiconductor
 bdy60.pdf pdf_icon

BDY60B

isc Silicon NPN Power Transistor BDY60DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V (Min)(BR)CEOLow Collector-Emitter Saturation VoltageExcellent Safe Operating AreaMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETE

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History: ZTX751 | 2SC5054R | ZXTP2012Z | EMT1DXV6 | 2DI30D-100 | PN5140 | KT668B

 

 
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