BDY60B - описание и поиск аналогов

 

BDY60B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BDY60B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BDY60B

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDY60B даташит

 9.1. Size:11K  semelab
 bdy60-02.pdf pdf_icon

BDY60B

BDY60/02 Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) Metal Package. 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 1 2 Bipolar NPN Device. 3 VCEO = 80V (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) IC = 5A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in

 9.2. Size:201K  inchange semiconductor
 bdy60.pdf pdf_icon

BDY60B

isc Silicon NPN Power Transistor BDY60 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V (Min) (BR)CEO Low Collector-Emitter Saturation Voltage Excellent Safe Operating Area Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETE

Другие транзисторы... BDY55 , BDY56 , BDY57 , BDY57A , BDY58 , BDY58R , BDY60 , BDY60A , TIP142 , BDY61 , BDY62 , BDY63 , BDY64 , BDY65 , BDY66 , BDY67 , BDY68 .

History: BDY13-10

 

 

 


 
↑ Back to Top
.