BDY61 Todos los transistores

 

BDY61 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDY61
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 45
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BDY61 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:200K  inchange semiconductor
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BDY61

isc Silicon NPN Power Transistor BDY61DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V (Min)(BR)CEOLow Collector-Emitter Saturation VoltageExcellent Safe Operating AreaMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETE

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History: 2SA1579R | GET874 | FCX753 | 2SB528 | 2SC1682 | MP2140 | LBC817-16DPMT1G

 

 
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