BDY61 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDY61
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 45
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de BDY61
BDY61 Datasheet (PDF)
bdy61.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor BDY61DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V (Min)(BR)CEOLow Collector-Emitter Saturation VoltageExcellent Safe Operating AreaMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETE
Otros transistores... BDY56 , BDY57 , BDY57A , BDY58 , BDY58R , BDY60 , BDY60A , BDY60B , 2SC2482 , BDY62 , BDY63 , BDY64 , BDY65 , BDY66 , BDY67 , BDY68 , BDY69 .
History: 2SA1579R | GET874 | FCX753 | 2SB528 | 2SC1682 | MP2140 | LBC817-16DPMT1G
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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