BDY72 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDY72
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
Tensión colector-base (Vcb): 150 V
Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 0.8 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 60
Encapsulados: TO66
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BDY72 datasheet
bdy72.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BDY72 DESCRIPTION Contunuous Collector Current-I = 3A C Collector Power Dissipation- P = 25W @T = 25 C C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 120V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose switching and linear amplifier applic
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Liste
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