BDY73 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDY73
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 117 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 0.8 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 50
Encapsulados: TO3
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BDY73 datasheet
bdy73.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BDY73 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area DC Current Gain-h =50-150@I = 4A FE C Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.1 V(Max)@ I = 4A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general-purpose switching and amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RAT
Otros transistores... BDY65 , BDY66 , BDY67 , BDY68 , BDY69 , BDY70 , BDY71 , BDY72 , D667 , BDY74 , BDY75 , BDY76 , BDY77 , BDY78 , BDY79 , BDY80 , BDY80A .
History: BC859BWT1 | BC860BW
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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