2N1017 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N1017
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
Tensión emisor-base (Veb): 20 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 24 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
Paquete / Cubierta: TO5
- Selección de transistores por parámetros
2N1017 Datasheet (PDF)
Otros transistores... 2N1015F , 2N1016 , 2N1016A , 2N1016B , 2N1016C , 2N1016D , 2N1016E , 2N1016F , 13005 , 2N1018 , 2N1019 , 2N102 , 2N1020 , 2N1021 , 2N102-13 , 2N1021A , 2N1022 .
History: 2SC706 | KMBTA05 | 2SC1400U | DTA602 | ECG311
History: 2SC706 | KMBTA05 | 2SC1400U | DTA602 | ECG311



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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