2N1017. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N1017

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 24 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2N1017

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N1017 даташит

 9.1. Size:261K  rca
 2n1010.pdf pdf_icon

2N1017

 9.2. Size:287K  rca
 2n794 2n795 2n796 2n1014 2n1213 2n1214 2n1215 2n1216.pdf pdf_icon

2N1017

Другие транзисторы: 2N1015F, 2N1016, 2N1016A, 2N1016B, 2N1016C, 2N1016D, 2N1016E, 2N1016F, 2SB817, 2N1018, 2N1019, 2N102, 2N1020, 2N1021, 2N102-13, 2N1021A, 2N1022