BDY75 Todos los transistores

 

BDY75 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BDY75

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 30 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 0.8 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO3

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BDY75 datasheet

 ..1. Size:205K  inchange semiconductor
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BDY75

isc Silicon NPN Power Transistor BDY75 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 40V (Min) (BR)CEO Low Collector-Emitter Saturation Voltage Excellent Safe Operating Area Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in high power ,high current and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATING

Otros transistores... BDY67 , BDY68 , BDY69 , BDY70 , BDY71 , BDY72 , BDY73 , BDY74 , BDT88 , BDY76 , BDY77 , BDY78 , BDY79 , BDY80 , BDY80A , BDY80B , BDY80C .

History: 2N5664SM

 

 

 


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