BDY76 Todos los transistores

 

BDY76 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDY76
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.8 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BDY76 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:208K  inchange semiconductor
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BDY76

isc Silicon NPN Power Transistor BDY76DESCRIPTIONExcellent Safe Operating AreaHigh DC Current Gain-: h = 40~120@I = 10AFE CLow Saturation Voltage-: V )= 1.4V(Max)@ I = 10ACE(sat CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for linear amplifiers, series pass regulators, andinductive switching applicatio

 0.1. Size:11K  semelab
 bdy76e.pdf pdf_icon

BDY76

BDY76EDimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99)6.35 (0.25) 26.67 (1.05)9.15 (0.36)Metal Package. 10.67 (0.42)11.18 (0.44) 1.52 (0.06)3.43 (0.135)1 2 Bipolar NPN Device. 3VCEO = 60V (case)3.84 (0.151)4.09 (0.161)7.92 (0.312) IC = 20A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in a

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