BDY76 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDY76
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 0.8 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 40
Encapsulados: TO3
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BDY76 datasheet
bdy76.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BDY76 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area High DC Current Gain- h = 40 120@I = 10A FE C Low Saturation Voltage- V )= 1.4V(Max)@ I = 10A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for linear amplifiers, series pass regulators, and inductive switching applicatio
bdy76e.pdf
BDY76E Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) Metal Package. 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 1 2 Bipolar NPN Device. 3 VCEO = 60V (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) IC = 20A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in a
Otros transistores... BDY68 , BDY69 , BDY70 , BDY71 , BDY72 , BDY73 , BDY74 , BDY75 , BD222 , BDY77 , BDY78 , BDY79 , BDY80 , BDY80A , BDY80B , BDY80C , BDY81 .
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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