BDY76 - описание и поиск аналогов

 

BDY76. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BDY76

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.8 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BDY76

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDY76 даташит

 ..1. Size:208K  inchange semiconductor
 bdy76.pdf pdf_icon

BDY76

isc Silicon NPN Power Transistor BDY76 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area High DC Current Gain- h = 40 120@I = 10A FE C Low Saturation Voltage- V )= 1.4V(Max)@ I = 10A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for linear amplifiers, series pass regulators, and inductive switching applicatio

 0.1. Size:11K  semelab
 bdy76e.pdf pdf_icon

BDY76

BDY76E Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 25.15 (0.99) 6.35 (0.25) 26.67 (1.05) 9.15 (0.36) Metal Package. 10.67 (0.42) 11.18 (0.44) 1.52 (0.06) 3.43 (0.135) 1 2 Bipolar NPN Device. 3 VCEO = 60V (case) 3.84 (0.151) 4.09 (0.161) 7.92 (0.312) IC = 20A 12.70 (0.50) All Semelab hermetically sealed products can be processed in a

Другие транзисторы... BDY68 , BDY69 , BDY70 , BDY71 , BDY72 , BDY73 , BDY74 , BDY75 , BD222 , BDY77 , BDY78 , BDY79 , BDY80 , BDY80A , BDY80B , BDY80C , BDY81 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.