BDY77 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDY77
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
Tensión colector-base (Vcb): 150 V
Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 16 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 0.8 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO3
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BDY77 Datasheet (PDF)
..1. Size:205K inchange semiconductor
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isc Silicon NPN Power Transistor BDY77DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 120V (Min)(BR)CEOLow Collector-Emitter Saturation VoltageExcellent Safe Operating AreaMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high power audio, disk head positioners, linearamplifiers, switching regulators,so
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