BDY79 Todos los transistores

 

BDY79 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDY79
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 150 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 8 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO66
 

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BDY79 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:210K  inchange semiconductor
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BDY79

isc Silicon NPN Power Transistor BDY79DESCRIPTIONContinuous Collector Current-I = 4ACCollector Power Dissipation-: P = 25W @T = 25C CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose switching and amplifierapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV C

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History: MMUN2230LT1 | HJ3669 | DTA124EE | SFT228

 

 
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