BDY80 Todos los transistores

 

BDY80 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDY80
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 36 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 35 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.8 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 500 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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BDY80 Datasheet (PDF)

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BDY80

isc Silicon NPN Power Transistor BDY80DESCRIPTIONContinuous Collector Current-I = 4ACCollector Power Dissipation-: P = 36W @T = 25C CComplement to Type BDY82Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose switching and amplifierapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMB

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History: SZD1182 | 2N625 | CSD471Y | 2N2065

 

 
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