BDY80B Todos los transistores

 

BDY80B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BDY80B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 36 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 35 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.8 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 500 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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BDY80B Datasheet (PDF)

 9.1. Size:217K  inchange semiconductor
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BDY80B

isc Silicon NPN Power Transistor BDY80DESCRIPTIONContinuous Collector Current-I = 4ACCollector Power Dissipation-: P = 36W @T = 25C CComplement to Type BDY82Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose switching and amplifierapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMB

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History: FMMT5087 | D32S1 | 2N5961 | 2SB475

 

 
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