BDY80B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDY80B
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 36 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 35 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 0.8 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 500 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BDY80B
BDY80B Datasheet (PDF)
9.1. Size:217K inchange semiconductor
bdy80.pdf
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isc Silicon NPN Power Transistor BDY80DESCRIPTIONContinuous Collector Current-I = 4ACCollector Power Dissipation-: P = 36W @T = 25C CComplement to Type BDY82Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpose switching and amplifierapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMB
Otros transistores... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , A1015 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
