BDY82C Todos los transistores

 

BDY82C Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BDY82C

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 36 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 35 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 0.8 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 500 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: TO220

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BDY82C datasheet

 9.1. Size:220K  inchange semiconductor
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BDY82C

isc Silicon PNP Power Transistor BDY82 DESCRIPTION Continuous Collector Current-I = -4A C Collector Power Dissipation- P = 36W @T = 25 C C Complement to Type BDY80 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general purpose switching and amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYM

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