BDY95 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BDY95
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
Tensión colector-base (Vcb): 600 V
Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 4 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 15
Encapsulados: TO3
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BDY95 datasheet
bdy95.pdf
isc Silicon NPN Power Transistors BDY95 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 250V(Min) (BR)CEO High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as high-speed power switch at high voltage. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Vo
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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