BF483 Todos los transistores

 

BF483 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BF483
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.83 W
   Tensión colector-base (Vcb): 300 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 90 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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BF483 Datasheet (PDF)

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BF483

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BF483; BF485; BF487NPN high-voltage transistors1996 Dec 09Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN high-voltage transistors BF483; BF485; BF487FEATURES PINNING Low feedback capacitance.PIN DESCRIPTION1 baseA

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BF483

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BF483; BF485; BF487NPN high-voltage transistors1999 Apr 12Product specificationSupersedes data of 1996 Dec 09Philips Semiconductors Product specificationNPN high-voltage transistors BF483; BF485; BF487FEATURES PINNING Low feedback capacitance.PIN DESCRIPTION1 baseAPPLICATIONS2 collector Intended for us

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History: PMD12K60 | PH1214-110M | KSE45H-7 | BF550 | PHPT61002PYCLH | PH3135-20M | 2SB1434

 

 
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