BF493S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BF493S  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W

Tensión colector-base (Vcb): 350 V

Tensión colector-emisor (Vce): 350 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 50 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 1.6 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO92

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BF493S datasheet

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BF493S

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BF493S/D High Voltage Transistor BF493S PNP Silicon COLLECTOR 3 2 BASE 1 1 2 EMITTER 3 MAXIMUM RATINGS CASE 29 04, STYLE 1 Rating Symbol Value Unit TO 92 (TO 226AA) Collector Emitter Voltage VCEO 350 Vdc Collector Base Voltage VCBO 350 Vdc Emitter Base Voltage VEBO 6.0 Vdc Collector Current

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BF493S

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BF493S/D High Voltage Transistor BF493S PNP Silicon COLLECTOR 3 2 BASE 1 1 2 EMITTER 3 MAXIMUM RATINGS CASE 29 04, STYLE 1 Rating Symbol Value Unit TO 92 (TO 226AA) Collector Emitter Voltage VCEO 350 Vdc Collector Base Voltage VCBO 350 Vdc Emitter Base Voltage VEBO 6.0 Vdc Collector Current

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BF493S

BF493S High Voltage Transistor PNP Silicon Features This is a Pb-Free Device* http //onsemi.com COLLECTOR MAXIMUM RATINGS 3 Rating Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage VCEO -350 Vdc 2 BASE Collector-Base Voltage VCBO -350 Vdc Emitter-Base Voltage VEBO -6.0 Vdc 1 Collector Current - Continuous IC -500 mAdc EMITTER Total Device Dissipation @ TA = 25 C PD 625 mW Dera

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