BF493S Todos los transistores

 

BF493S . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BF493S
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
   Tensión colector-base (Vcb): 350 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 350 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 1.6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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BF493S Datasheet (PDF)

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BF493S

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BF493S/DHigh Voltage TransistorBF493SPNP SiliconCOLLECTOR32BASE112EMITTER3MAXIMUM RATINGSCASE 2904, STYLE 1Rating Symbol Value UnitTO92 (TO226AA)CollectorEmitter Voltage VCEO 350 VdcCollectorBase Voltage VCBO 350 VdcEmitterBase Voltage VEBO 6.0 VdcCollector Current

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BF493S

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BF493S/DHigh Voltage TransistorBF493SPNP SiliconCOLLECTOR32BASE112EMITTER3MAXIMUM RATINGSCASE 2904, STYLE 1Rating Symbol Value UnitTO92 (TO226AA)CollectorEmitter Voltage VCEO 350 VdcCollectorBase Voltage VCBO 350 VdcEmitterBase Voltage VEBO 6.0 VdcCollector Current

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BF493S

BF493SHigh Voltage TransistorPNP SiliconFeatures This is a Pb-Free Device*http://onsemi.comCOLLECTORMAXIMUM RATINGS3Rating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO -350 Vdc2BASECollector-Base Voltage VCBO -350 VdcEmitter-Base Voltage VEBO -6.0 Vdc1Collector Current - Continuous IC -500 mAdcEMITTERTotal Device Dissipation @ TA = 25C PD 625 mWDera

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History: SGSIF463 | 2SA393 | 2SC995 | CD0014N | 2SB1246 | PMD25K150 | 2SD1029

 

 
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