BF494B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BF494B  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 260 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 1.6 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 220

Encapsulados: TO92

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BF494B datasheet

 9.1. Size:48K  philips
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BF494B

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 BF494; BF495 NPN medium frequency transistors 1997 Jul 08 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN medium frequency transistors BF494; BF495 FEATURES PINNING Low current (max. 30 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage

 9.2. Size:81K  fairchild semi
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BF494B

July 2006 BF494 tm NPN RF Transistor TO-92 1. Collector 2. Emitter 3. Base Absolute Maximum Ratings * Ta = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Unit VCEO Collector-Emitter Voltage 20 V VCBO Collector-Base Voltage 30 V VEBO Emitter-Base Voltage 5.0 V IC Collector Current - Continuous 30 mA TJ Junction Temperature 150 C TSTG Storage Temperature Range - 55 150 C

 9.3. Size:142K  cdil
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BF494B

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL RF TRANSISTORS BF494 BF495 TO-92 Plastic Package High Voltage Video Transistors ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL Value UNITS VCEO Collector Emitter Voltage 20 V VCBO Collector Base Voltage 30 V VEBO Emitter Base Vol

Otros transistores... BF493P1, BF493P2, BF493P5, BF493Q, BF493S, BF493SP, BF494, BF494A, A42, BF494C, BF494D, BF495, BF495B, BF495C, BF495D, BF496, BF497