BF721T3 Todos los transistores

 

BF721T3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BF721T3
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 300 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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BF721T3 Datasheet (PDF)

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BF721T3

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BF721T1/DBF721T1PNP Silicon TransistorMotorola Preferred DeviceCOLLECTOR 2,4PNP SILICONBASETRANSISTOR1SURFACE MOUNTEMITTER 3MAXIMUM RATINGS4Rating Symbol Value Unit1Collector-Emitter Voltage VCEO 300 Vdc23Collector-Base Voltage VCBO 300 VdcCASE 318E-04, STYLE 1Collector-Emitter Voltage

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BF721T3

BF721T1GPNP Silicon TransistorFeatures These Devices are Pb--Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSComplianthttp://onsemi.comMAXIMUM RATINGSPNP SILICON TRANSISTORRating Symbol Value UnitSURFACE MOUNTCollector -- Emitter Voltage VCEO --300 VdcCollector -- Base Voltage VCBO --300 VdcCollector -- Emitter Voltage VCER --300 VdcCOLLECTOR 2,4Emitter -- Base Voltage VE

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BF721T3

BF721T1GPNP Silicon TransistorFeatures These Devices are Pb--Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSComplianthttp://onsemi.comMAXIMUM RATINGSPNP SILICON TRANSISTORRating Symbol Value UnitSURFACE MOUNTCollector -- Emitter Voltage VCEO --300 VdcCollector -- Base Voltage VCBO --300 VdcCollector -- Emitter Voltage VCER --300 VdcCOLLECTOR 2,4Emitter -- Base Voltage VE

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History: KRC831E

 

 
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