BF859A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BF859A

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.8 W

Tensión colector-base (Vcb): 300 V

Tensión colector-emisor (Vce): 300 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 90 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4.2 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO202

 Búsqueda de reemplazo de BF859A

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BF859A datasheet

 9.1. Size:63K  philips
 bf857 bf858 bf859.pdf pdf_icon

BF859A

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D067 BF857; BF858; BF859 NPN high-voltage transistors 1996 Dec 09 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN high-voltage transistors BF857; BF858; BF859 DESCRIPTION NPN transistors in a TO-202 plastic package. handbook, halfpage An A-version

 9.2. Size:47K  philips
 bf859.pdf pdf_icon

BF859A

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET handbook, halfpage M3D067 BF859 NPN high-voltage transistor 1999 Apr 14 Product specification Supersedes data of 1996 Dec 09 Philips Semiconductors Product specification NPN high-voltage transistor BF859 DESCRIPTION NPN transistor in a TO-202 plastic package. handbook, halfpage An A-version with e-b-c pinning instead of e-c-b is available on re

Otros transistores... BF857, BF857A, BF857BA, BF857EA, BF858, BF858A, BF858EA, BF859, 2SC5200, BF859BA, BF859EA, BF860, BF869, BF869A, BF869BA, BF869EA, BF869S