BF859A - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

BF859A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BF859A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO202

 Аналоги (замена) для BF859A

 

BF859A Datasheet (PDF)

 9.1. Size:63K  philips
 bf857 bf858 bf859.pdf pdf_icon

BF859A

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D067 BF857; BF858; BF859 NPN high-voltage transistors 1996 Dec 09 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN high-voltage transistors BF857; BF858; BF859 DESCRIPTION NPN transistors in a TO-202 plastic package. handbook, halfpage An A-version

 9.2. Size:47K  philips
 bf859.pdf pdf_icon

BF859A

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET handbook, halfpage M3D067 BF859 NPN high-voltage transistor 1999 Apr 14 Product specification Supersedes data of 1996 Dec 09 Philips Semiconductors Product specification NPN high-voltage transistor BF859 DESCRIPTION NPN transistor in a TO-202 plastic package. handbook, halfpage An A-version with e-b-c pinning instead of e-c-b is available on re

Другие транзисторы... BF857 , BF857A , BF857BA , BF857EA , BF858 , BF858A , BF858EA , BF859 , 2SC5200 , BF859BA , BF859EA , BF860 , BF869 , BF869A , BF869BA , BF869EA , BF869S .

History: MMBTSC945O | 2SC2977 | 2N3999 | CHDTC643TUGP | KRA559U | 2SC3191 | 2SC2939

 

 
Back to Top

 


 
.