BF959 Todos los transistores

 

BF959 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BF959
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 3 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 600 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 0.9 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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BF959 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:140K  cdil
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BF959

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORBF959TO-92Plastic PackageBF 959 IS A SILICON NPN TRANSISTOR INTENDED FOR USE AT VERY HIGH FREQUENCIES.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITVCEOCollector Emitter Voltage 20 VVCBOCollector Ba

 0.1. Size:111K  motorola
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BF959

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BF959/DVHF TransistorNPN SiliconBF959COLLECTOR13BASE2EMITTERMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit12CollectorEmitter Voltage VCEO 20 Vdc 3CollectorBase Voltage VCBO 30 VdcCASE 2904, STYLE 21EmitterBase Voltage VEBO 3.0 VdcTO92 (TO226AA)Collector Current Continuous IC 100

 0.2. Size:53K  onsemi
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BF959

BF959VHF TransistorNPN SiliconFeatures Pb-Free Packages are Available*http://onsemi.comCOLLECTOR1MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit3Collector-Emitter Voltage VCEO 20 VdcBASECollector-Base Voltage VCBO 30 Vdc2Emitter-Base Voltage VEBO 3.0 VdcEMITTERCollector Current - Continuous IC 100 mAdcTotal Device Dissipation PDMARKING@ TA = 25C625 mWDer

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