BF959 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BF959
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 3 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 600 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 0.9 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BF959
BF959 Datasheet (PDF)
bf959.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORBF959TO-92Plastic PackageBF 959 IS A SILICON NPN TRANSISTOR INTENDED FOR USE AT VERY HIGH FREQUENCIES.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITVCEOCollector Emitter Voltage 20 VVCBOCollector Ba
bf959rev.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BF959/DVHF TransistorNPN SiliconBF959COLLECTOR13BASE2EMITTERMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit12CollectorEmitter Voltage VCEO 20 Vdc 3CollectorBase Voltage VCBO 30 VdcCASE 2904, STYLE 21EmitterBase Voltage VEBO 3.0 VdcTO92 (TO226AA)Collector Current Continuous IC 100
bf959-d.pdf
BF959VHF TransistorNPN SiliconFeatures Pb-Free Packages are Available*http://onsemi.comCOLLECTOR1MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit3Collector-Emitter Voltage VCEO 20 VdcBASECollector-Base Voltage VCBO 30 Vdc2Emitter-Base Voltage VEBO 3.0 VdcEMITTERCollector Current - Continuous IC 100 mAdcTotal Device Dissipation PDMARKING@ TA = 25C625 mWDer
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
