BFG235 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BFG235
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 5900 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: SOT223
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BFG235 Datasheet (PDF)
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BFG 235NPN Silicon RF Transistor For low-distortion broadband output amplifier stages in antenna and telecommunications systems up to 2 GHz at collector currents from 120mA to 250mA Power amplifiers for DECT and PCN systems Integrated emitter ballast resistor fT = 5.5 GHzESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!Type Marking Order
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