BFG235 Todos los transistores

 

BFG235 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BFG235
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 5900 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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BFG235 Datasheet (PDF)

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BFG235

BFG 235NPN Silicon RF Transistor For low-distortion broadband output amplifier stages in antenna and telecommunications systems up to 2 GHz at collector currents from 120mA to 250mA Power amplifiers for DECT and PCN systems Integrated emitter ballast resistor fT = 5.5 GHzESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!Type Marking Order

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