2N3020 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N3020

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W

Tensión colector-base (Vcb): 140 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 180 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 80 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 12 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO5

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2N3020 datasheet

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2N3020

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

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2N3020

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR 2N3019 / 2N3020 TO-39 Metal Can Package General Transistor ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector Emitter Voltage VCEO 80 V Collector Base Voltage VCBO 140 V Emitter Base Voltage VEBO 7.0 V Collector Current Continuous IC 1.0 A Power Diss

 9.1. Size:301K  microsemi
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2N3020

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