2N3020 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N3020
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
Tensión colector-base (Vcb): 140 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 180 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 12 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO5
- Selección de transistores por parámetros
2N3020 Datasheet (PDF)
2n3019 2n3020.pdf

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
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Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTOR 2N3019 / 2N3020TO-39Metal Can PackageGeneral TransistorABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector Emitter Voltage VCEO 80 VCollector Base Voltage VCBO 140 VEmitter Base Voltage VEBO 7.0 VCollector Current Continuous IC 1.0 APower Diss
Otros transistores... 2N3019CSM , 2N3019S , 2N3019UB , 2N301A , 2N301B , 2N301G , 2N301W , 2N302 , BC327 , 2N3020S , 2N3021 , 2N3022 , 2N3023 , 2N3024 , 2N3025 , 2N3026 , 2N303 .
History: BC337A-16 | 2SC2257A | TV37
History: BC337A-16 | 2SC2257A | TV37



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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