2N3020. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N3020

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 180 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO5

 Аналоги (замена) для 2N3020

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3020 даташит

 ..1. Size:60K  central
 2n3019 2n3020.pdf pdf_icon

2N3020

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 ..2. Size:75K  cdil
 2n3019 2n3020.pdf pdf_icon

2N3020

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR 2N3019 / 2N3020 TO-39 Metal Can Package General Transistor ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector Emitter Voltage VCEO 80 V Collector Base Voltage VCBO 140 V Emitter Base Voltage VEBO 7.0 V Collector Current Continuous IC 1.0 A Power Diss

 9.1. Size:301K  microsemi
 2n3027-29 2n3030-32.pdf pdf_icon

2N3020

Другие транзисторы: 2N3019CSM, 2N3019S, 2N3019UB, 2N301A, 2N301B, 2N301G, 2N301W, 2N302, S8550, 2N3020S, 2N3021, 2N3022, 2N3023, 2N3024, 2N3025, 2N3026, 2N303