BFG97 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFG97

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 15 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 5500 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 1 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO251

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BFG97 datasheet

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BFG97

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFG97 NPN 5 GHz wideband transistor Product specification September 1995 NXP Semiconductors Product specification NPN 5 GHz wideband transistor BFG97 DESCRIPTION PINNING age 4 NPN planar epitaxial transistor PIN DESCRIPTION mounted in a plastic SOT223 1 emitter envelope. 2 base It features excellent output voltage capabilities, and is pr

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BFG97

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFG97 NPN 5 GHz wideband transistor September 1995 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification NPN 5 GHz wideband transistor BFG97 DESCRIPTION PINNING age 4 NPN planar epitaxial transistor PIN DESCRIPTION mounted in a plastic SOT223 1 emitter envelope. 2 base It features excelle

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