2N3020S Todos los transistores

 

2N3020S . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N3020S
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.8 W
   Tensión colector-base (Vcb): 140 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 180 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 12 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO5

 Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N3020S

 

2N3020S Datasheet (PDF)

 8.1. Size:60K  central
2n3019 2n3020.pdf

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145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 8.2. Size:75K  cdil
2n3019 2n3020.pdf

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Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTOR 2N3019 / 2N3020TO-39Metal Can PackageGeneral TransistorABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector Emitter Voltage VCEO 80 VCollector Base Voltage VCBO 140 VEmitter Base Voltage VEBO 7.0 VCollector Current Continuous IC 1.0 APower Diss

 9.1. Size:301K  microsemi
2n3027-29 2n3030-32.pdf

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History: 2N2947 | NA22HH

 

 
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