2N3021 Todos los transistores

 

2N3021 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N3021
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 4 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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2N3021 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:60K  central
 2n3019 2n3020.pdf pdf_icon

2N3021

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 9.2. Size:75K  cdil
 2n3019 2n3020.pdf pdf_icon

2N3021

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTOR 2N3019 / 2N3020TO-39Metal Can PackageGeneral TransistorABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector Emitter Voltage VCEO 80 VCollector Base Voltage VCBO 140 VEmitter Base Voltage VEBO 7.0 VCollector Current Continuous IC 1.0 APower Diss

 9.3. Size:301K  microsemi
 2n3027-29 2n3030-32.pdf pdf_icon

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