BFN17 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFN17

Código: DG

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W

Tensión colector-base (Vcb): 250 V

Tensión colector-emisor (Vce): 250 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 60 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: SOT89

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BFN17 datasheet

 ..1. Size:138K  siemens
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BFN17

PNP Silicon High-Voltage Transistors BFN 17 BFN 19 Suitable for video output stages in TV sets and switching power supplies High breakdown voltage Low collector-emitter saturation voltage Complementary types BFN 16, BFN 18 (NPN) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1) (tape and reel) 1 2 3 BFN 17 DG Q62702-F884 B C E SOT-89 BFN 19 DH Q62702-F1057 Maximum Ratings

 ..2. Size:13K  diodes
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BFN17

SOT89 PNP SILICON PLANAR BFN17 HIGH VOLTAGE TRANSISTOR ISSUE 3 - OCTOBER 1995 C COMPLEMENTARY TYPE - BFN16 E PARTMARKING DETAILS - DG C B ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Collector-Base Voltage VCBO -250 V Collector-Emitter Voltage VCEO -250 V Emitter-Base Voltage VEBO -5 V Peak Pulse Current ICM -500 mA Continuous Collector Current IC -200 mA Base Current

Otros transistores... BFJ75, BFJ77, BFJ78, BFJ79, BFJ92, BFJ93, BFJ98, BFN16, A733, BFN18, BFN19, BFN20, BFN21, BFN22, BFN22R, BFN23, BFN23R