BFN17. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFN17

Маркировка: DG

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для BFN17

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFN17 даташит

 ..1. Size:138K  siemens
 bfn17 bfn19.pdf pdf_icon

BFN17

PNP Silicon High-Voltage Transistors BFN 17 BFN 19 Suitable for video output stages in TV sets and switching power supplies High breakdown voltage Low collector-emitter saturation voltage Complementary types BFN 16, BFN 18 (NPN) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1) (tape and reel) 1 2 3 BFN 17 DG Q62702-F884 B C E SOT-89 BFN 19 DH Q62702-F1057 Maximum Ratings

 ..2. Size:13K  diodes
 bfn17.pdf pdf_icon

BFN17

SOT89 PNP SILICON PLANAR BFN17 HIGH VOLTAGE TRANSISTOR ISSUE 3 - OCTOBER 1995 C COMPLEMENTARY TYPE - BFN16 E PARTMARKING DETAILS - DG C B ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Collector-Base Voltage VCBO -250 V Collector-Emitter Voltage VCEO -250 V Emitter-Base Voltage VEBO -5 V Peak Pulse Current ICM -500 mA Continuous Collector Current IC -200 mA Base Current

Другие транзисторы: BFJ75, BFJ77, BFJ78, BFJ79, BFJ92, BFJ93, BFJ98, BFN16, A733, BFN18, BFN19, BFN20, BFN21, BFN22, BFN22R, BFN23, BFN23R