BFN23R . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BFN23R
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 250 V
Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.02 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 1.2 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Paquete / Cubierta: SOT23
- Selección de transistores por parámetros
BFN23R Datasheet (PDF)
bfn23.pdf

BFN 23PNP Silicon High-Voltage Transistor BFN 23 Suitable for video output stages in TV setsand switching power supplies High breakdown voltage Low collector-emitter saturation voltage Low capacitance Complementary type: BFN 22 (NPN)Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1)(tape and reel) 1 2 3BFN 23 HCs Q62702-F1064 B E C SOT-23Maximum RatingsParameter Symb
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History: MM558-02 | JA100R | OC870 | KTC3226 | BC109CP | 2SD1723T | MCH5541
History: MM558-02 | JA100R | OC870 | KTC3226 | BC109CP | 2SD1723T | MCH5541



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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