BFN23R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFN23R

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BFN23R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFN23R даташит

 9.1. Size:127K  siemens
 bfn23.pdf pdf_icon

BFN23R

BFN 23 PNP Silicon High-Voltage Transistor BFN 23 Suitable for video output stages in TV sets and switching power supplies High breakdown voltage Low collector-emitter saturation voltage Low capacitance Complementary type BFN 22 (NPN) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1) (tape and reel) 1 2 3 BFN 23 HCs Q62702-F1064 B E C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symb

Другие транзисторы: BFN17, BFN18, BFN19, BFN20, BFN21, BFN22, BFN22R, BFN23, 2SA1837, BFN24, BFN25, BFN26, BFN27, BFN36, BFN37, BFN38, BFN39