BFP13 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BFP13
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.25 W
Tensión colector-base (Vcb): 350 V
Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de BFP13
BFP13 Datasheet (PDF)
bfp136w.pdf

BFP 136WNPN Silicon RF Transistor For power amplifier in DECT and PCN systems fT = 5.5GHz Gold metalization for high reliabilityESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBFP 136W PAs Q62702-F1575 1 = E 2 = C 3 = E 4 = B SOT-343Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emi
Otros transistores... BFN27 , BFN36 , BFN37 , BFN38 , BFN39 , BFP10 , BFP11 , BFP12 , D209L , BFP14 , BFP17 , BFP180 , BFP181 , BFP181T , BFP182 , BFP182T , BFP183 .
History: BC849CR | LBC848BWT1G | HD1750FX
History: BC849CR | LBC848BWT1G | HD1750FX



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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