BFP13 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BFP13

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.25 W

Tensión colector-base (Vcb): 350 V

Tensión colector-emisor (Vce): 300 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 60 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO92

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BFP13 datasheet

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BFP13

BFP 136W NPN Silicon RF Transistor For power amplifier in DECT and PCN systems fT = 5.5GHz Gold metalization for high reliability ESD Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BFP 136W PAs Q62702-F1575 1 = E 2 = C 3 = E 4 = B SOT-343 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emi

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