2N3025 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N3025
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W
Tensión colector-base (Vcb): 45 V
Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
Tensión emisor-base (Veb): 4 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N3025
2N3025 Datasheet (PDF)
2n3019 2n3020.pdf
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Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTOR 2N3019 / 2N3020TO-39Metal Can PackageGeneral TransistorABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector Emitter Voltage VCEO 80 VCollector Base Voltage VCBO 140 VEmitter Base Voltage VEBO 7.0 VCollector Current Continuous IC 1.0 APower Diss
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050