2N3025. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N3025

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2N3025

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3025 даташит

 9.1. Size:60K  central
 2n3019 2n3020.pdf pdf_icon

2N3025

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 9.2. Size:75K  cdil
 2n3019 2n3020.pdf pdf_icon

2N3025

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR 2N3019 / 2N3020 TO-39 Metal Can Package General Transistor ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector Emitter Voltage VCEO 80 V Collector Base Voltage VCBO 140 V Emitter Base Voltage VEBO 7.0 V Collector Current Continuous IC 1.0 A Power Diss

 9.3. Size:301K  microsemi
 2n3027-29 2n3030-32.pdf pdf_icon

2N3025

Другие транзисторы: 2N301W, 2N302, 2N3020, 2N3020S, 2N3021, 2N3022, 2N3023, 2N3024, B772, 2N3026, 2N303, 2N3033, 2N3034, 2N3035, 2N3036, 2N3037, 2N3038